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当电流增加时，注入发光区的电子发生非辐射复合的几率变大，使器件的内量子效率降低，同时，由于电流增加导致器件的温度升高，使荧光粉的量子效率降低并进一步增加了非辐射复合的几率。在图5中，由于驱动电流在正常的工作电流内，器件的发光效率虽有一定的降低，但变化的幅度并不大。但由于长时间点亮老化，温度一直保持在一个较高的水平，使器件的内量子效率降低，从而导致低电流下光功率很低，随着电流的上升，光功率逐渐升高直至饱和。
发光二极管的 P—I 特性是指输出的光功率随注入电流的变化关系，其 P—I 曲线如
图所示。当注入电流较小时，线性度非常好。但当注入电流比较大时，由于 PN 结的
发热，发光效率降低，出现了饱和现象。在同样的注入电流下，面发光二极管的输出
功率要比边发光二极管大，这是由于边发光二极管受到更多的吸收和界面复合的影响。
在通常应用条件下，发光二极管的工作电流为 50--150mA :输出功率为几个毫瓦。
温度对发光二极管的 P—I 特性也有影响当温度升高时同一电流下的发射功率
会降低。发光二极管的温度特性相对较好在实际应用中一般可以不加温度控制。
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